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满足新能源充电标准 长园维安MOS??榇葱路庾?/strong>

2019-11-21 10:21:54 来源:大比特商务网 点击:609

【大比特导读】郭建军认为,目前MOS??槭鞘忻嫔媳冉先让诺牡靥蓟栊虏牧系墓丶?,为了做到更小的电阻,就要避免更多的单体,因此在规范化期间做到更高耐压1200伏,1700伏则是它的优势。

在11月8日的“第十三届(上海)新能源汽车核心电源技术研讨会”上,长园维安产品应用经理郭建军先生带来了《超结SJ-MOSFET 在充电机领域的应用》的主题演讲。

郭经理演讲内容大致可分为MOSFET ID&IDM、防止LLC启动/短路,MOSFET直通的电路,浪涌抑制电路、新能源充电机/充电桩以及长园维安SJ-MOSFET。

作为研讨会当日第一位出场演讲嘉宾,郭经理首先介绍了MOSFET的内部框架,如下图中间红色部分是主芯片,周围布满银胶形状主要是起连接作用,最外层的塑封体是用于绝缘固化,整个框架可以理解为是一个散热器。再如下正视图可见,中间区域为有源区,边缘处为终端区,如果放大内部构造看的话,是可以看到单个MOS的??槭谴⒘淖刺?,并且单体的性能决定了整体的性能,另外MOS???/a>要做到高度电压,就要串联更多的???。

MOSFET
MOSFET

郭建军认为,目前MOS??槭鞘忻嫔媳冉先让诺牡靥蓟栊虏牧系墓丶?,为了做到更小的电阻,就要避免更多的单体,因此在规范化期间做到更高耐压1200伏,1700伏则是它的优势。

SJ-MOSFET主要工艺

据郭建军介绍,SJ-MOSFET 主要工艺 Multi-EPI 多次外延首先从为N- epi 生长、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循环多次迭代形成结构、制作MOS表面结构。

而SJ-MOSFET 主要工艺-Deep Trench 深沟槽首先是N- epi生长、然后刻蚀深沟槽、再者生长P型外延、最后才是制作MOS表面结构。

MOSFET封测顺序则是晶粒切割、晶粒黏贴、焊线、塑封、切割成型以及最终测试。

MOSFET IDM

1) 在一定的脉冲宽度下,基于功率MOSFET的转移工作特性或输出特性的真正的单脉冲最大电流测量值。

2) 在一定的脉冲宽度下,基于瞬态的热阻和最大结温的计算值。

(3) IDM 最大漏极电流也由器件源极键合引线的熔断电流决定。

防止LLC启动/短路,MOSFET直通的电路

郭建军表示,推荐使用MOSFET 内部快速恢复二极管,而例如 INF CFD2,则有成本高,未从源头消除问题的不足之处。

防止LLC启动/短路,MOSFET直通的电路

浪涌抑制电路

郭建军对于浪涌抑制电路较为理想,他认为它的优势在于GDT 小的技术电容不影响信号和系统连接;MOV 漏电流更小(MOV 理解为待机状态,不是时刻都接入到母线中);开关电源和白色家电产品延长MOV 的寿命,提高系统可靠性。

浪涌抑制电路
 

车载充电机

结合今次新能源汽车主题,长园维安第三代深沟槽工艺应用于车载充电机上防浪涌防雷电路、有源PFC整流器、主功率、辅助电源+5V和+12V。

车载充电机
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